最新10月22日消息，据报道，美光总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer在2026年度技术网络研讨会上明确表态：经过二十多年研究，4F² DRAM架构不存在可行的微缩路径，其相对于6F²的密度优势有点神话。

同时，他暗示长鑫正在实施的4F² DRAM技术是死路一条。美光将跳过4F²，坚持6F²并全力转向3D DRAM。

这一表态直接回应了长鑫存储本月早些时候宣布的计划：2026年底前推出基于4F²架构的DDR5 RDIMM服务器内存。消息曾引发全球存储股集体重挫，SK海力士单日暴跌超10%，三星跌超7%，市场担忧中国厂商的架构突破将改写竞争格局。

4F²的核心思路，是将DRAM单元中的晶体管与电容从平面并排改为垂直堆叠，使单元面积从6倍特征尺寸平方压缩至4倍，理论上可缩减30%至40%的芯片面积。

但美光认为，真正的密度瓶颈不在单元架构，而在电容间距。DeBoer直言，部分关于4F²与6F²的比较是“故弄玄虚”，在给定电容尺寸下，4F²和6F²的优化空间并无本质差异。

更现实的障碍是成本与良率。4F²需要引入垂直沟道晶体管，对原子层沉积和选择性外延工艺要求极高，设备昂贵且良率爬坡困难。

美光的判断是：为缩小30%面积而多付50%制造成本，商业逻辑不成立。相比之下，3D DRAM将存储单元垂直排列，从结构层面突破平面极限，量产风险更低，扩展空间更大。

那么长鑫为何仍押注4F²？答案不在技术优劣，而在设备约束。由于无法获得EUV光刻机，中国厂商在平面微缩路线上被锁死在有限的分辨率空间内。4F²通过垂直堆叠换取密度，是在DUV条件下继续推进制程的为数不多的工程选项。

需要指出的是，行业路线已明显分裂。三星采取中间策略：2027年完成1d nm节点6F²量产，2028年底前再导入4F²；SK海力士同样在评估两条路线。

美光则是最决绝的一个，直接跳过4F²，将3D1、3D2两代3D DRAM写入长期路线图，并同步推进晶圆键合与垂直HBM。