最新10月22日消息，SK海力士的下一代高带宽内存（HBM）定名iHBM，思路是把散热结构直接做进内存封装内部，不再只靠外置的散热器和冷板把热带走。

HBM难散热是结构决定的，多层DRAM（动态随机存取存储器）裸片一层压一层堆在基础裸片（Base Die）上，基础裸片连硅中介层，中介层连封装基板，基板再连到电路板。

热量产生在堆叠中间，却只有往上和往下两条路可走，上面是封装顶盖和冷板，下面是基板把热导给系统散热器，路径又长、环节又多，最难办的就是夹在中间的那几层。

热阻说的就是这段路上的阻力，数值越高，同样的发热量换来的温度就越高。

iHBM改的就是这段路，SK海力士把一种叫集成散热元件（ICE）的结构，放进芯片与芯片之间的物理接口层（D2D PHY），在堆叠内部多开了一条就近散热的通道，按这套设计，热阻最多能降低30%。

位置选得有讲究，D2D PHY本身就是各层裸片之间传数据的地方，天然贯穿整个堆叠，把散热通道放在这里，热量不用再爬到封装顶部才能散出去。

据韩国方面的消息，围绕iHBM的量产和应用，SK海力士已经开始与本土和海外的材料、设备供应商展开讨论。

时间表上，SK海力士当前的主力是HBM4，iHBM被规划用在再下一代的HBM5上。

工艺沿用现有的MR-MUF（批量回流模塑底部填充）方案，也就是把堆叠好的芯片整体回流焊接、再用模塑料填满层间缝隙，参与讨论的人士认为，供应链大概率还是现有这批厂商，不用另起一条线。

HBM的散热这几年一直是封装环节的死结，层数往上加，同样的封装体积里塞进的发热单元越来越多，出口却始终只有顶部和底部两处，这也是这条产品线一边加层、一边在封装材料和填充工艺上打转的原因。

目前SK海力士没有公布iHBM的量产时间，前述讨论也还停留在供应链层面，什么时候真正用到HBM5上，没有明确说法。