最新10月22日消息，美光在2026年OCP峰会上公布了下一代存储技术路线图，涉及DDR6、LPDDR6、HBM与G11 NAND四条产品线。

其中DDR6被定位为面向高可靠性服务器市场，美光称其带宽将达到DDR5的两倍以上，并计划推出单条容量1TB的RDIMM。

作为参照，当前DDR5 RDIMM的单条容量上限为512GB，同样来自美光，频率9200MT/s，采用垂直互联封装与TSV硅通孔技术，若DDR6按计划落地，单条容量将翻一倍。

目前单条1TB仍是路线图目标，支撑它的是1δ（1-Delta）DRAM工艺节点，该节点位密度较上一代提升约20%-25%，计划2027年下半年在美国进入量产爬坡。首批DDR6产品预计2027年面市，服务器与数据中心优先。

架构选择上，美光与另外两家主要厂商出现分歧，美光表示将坚持6F²单元架构，不转入4F²，理由是经过二十余年研究，认为4F²不存在可靠的缩放路径。

而长鑫预计年底推出基于4F²架构的DDR5产品，首发面向服务器与数据中心；三星计划2028年投产4F²，搭配其首个10nm以下工艺。

其他产品方面，LPDDR6能效较LPDDR5提升35%以上，兼顾数据中心与移动设备；G11 NAND采用双晶圆键合，堆叠层数超过400层，计划2027年下半年量产爬坡；vHBM首代产品预计2028年推出，2030年演进至vHBM3。

需要说明的是，美光此次公布的带宽、容量与能效数据均为路线图阶段的目标值，实际规格尚待标准定案与客户平台验证，DDR6的具体规范，以及消费级产品的上市时间，美光未在本次会议上给出。