最新9月21日消息，今天中午长鑫科技又宣布了一个重大消息，其第五代技术平台正式量产，简称G5，并且同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。

先看产品规格，有两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24Gb，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball、245Ball封装规格，均已进入规模量产阶段。

虽然还不是最新的LPDDR6，但这应该不是技术做不到，而是市场选择，LPDDR5X的需求量整体远高于LPDDR6，后者现在主要是少数几款旗舰机在用。

再看长鑫公布的技术水平，依托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。

通过变革工艺流程、采用新材料，存储电容深宽比达45:1；开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，成功将G5平台核心功能区高度缩小到6762纳米。

这里主要关注几个关键指标就行了——半间距、四重曝光、深宽比、HKMG等，其中最主要的特征就是这个半间距，它就像是大家常听到的CPU工艺3nm、2nm一样，是内存工艺断代的标准之一。

11.95nm意味着在11nm到12nm之间，这个水平差不多是目前的1c工艺，大家都知道进入20nm节点之下，内存工艺也不提具体数字，都是10nm级，从19nm到目前的12nm差不多发展了五六代工艺，1c是三星、SK海力士、美光去年底到今年量产的主力。

所以长鑫的G5工艺已经迈入了1c水平，但他们还是比较谦虚地表示接近全球最顶尖的内存量产平台制程，没说超越，毕竟跟12nm更接近一些。

G5是怎么做到的，这里面就是长鑫提到的几个其他指标了——四重曝光、HKMG、深宽比，要知道三星在14nm节点之后的内存工艺上转向EUV工艺了，国内显然没这个机会，但靠着DUV光刻机的四重曝光也做到了12nm以内，再配合HKMG材料、深宽比蚀刻机等做到了G5量产。

总之，G5在技术上已经跨过了1c工艺的大门，不是摸到门槛那么简单，但考虑到每家内存公司的技术实现方式不同，长鑫还是稍微谦虚了一下说接近顶尖水平，而不是达到或者超越顶尖水平。

靠四重曝光技术做到1c水平的最大担忧是什么？是成本高，产能低，最终产品没有竞争力，但长鑫也公布了明确的数据——G5每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50%，在产品能效、成本控制上均具备显著优势。

这就意味着G5不仅比之前的G4产能提升了50%以上，成本还有显著优势，虽然这个不知道他们是怎么做到的，但官方敢这么说，必然是有底气的。

长鑫这个公告最有价值的地方就在这里了，三星、SK海力士及美光不会担心长鑫的技术追赶，因为只要没有EUV光刻机，他们就会觉得能甩开国产内存数代差距（还包括CPU、GPU、闪存等其他芯片），但是长鑫现在明确了四重曝光量产的芯片一样有成本及产能效率。

长鑫是目前所有内存芯片原厂中扩产最积极的，先不说是晶圆产能未来两三年会翻倍、三倍增长到60-100万晶圆/月，光是G5的产出效率提升50%就是极强的竞争力了。

一句话来说，长鑫的G5产能爆发之后，内存涨价的好日子就不会多了。