最新9月22日消息，据DigiTimes报道，随着良品率问题逐渐解决，三星电子的HBM策略正在发生转变，从“技术追赶”转向“扩大出货”。

三星计划2027年将HBM4及HBM4E的出货量提高一倍甚至更多。为配合扩产，三星将关键材料玻璃载板的采购量提升至今年的2.5倍，每月数量从2万片飙升至5万片。

三星此次扩产主要集中在12层及以上堆叠的产品上。业界预计，三星HBM生产规模将从今年的每月18万片晶圆增至明年的25万片，提升约40%。

产品结构也将发生根本性变化。HBM4系列（含HBM4及HBM4E）在整个HBM产品线中的比重将从今年的40%大幅提升至明年的80%。HBM4E产能也将逐步爬坡。

三星今年2月已开始量产HBM4，采用4nm基础裸片搭配1c nm工艺DRAM芯片。5月，三星向包括英伟达在内的客户交付了12层HBM4E样品。

产能建设方面，三星已在平泽P4晶圆厂建设大型HBM4用1c nm DRAM产线，月产能规划达10至12万片晶圆。加上现有约6.5万片1c nm月产能，HBM4届时将占据三星DRAM总产能的约四分之一。

三星扩大HBM产能的背景是AI数据中心投资持续井喷。据TrendForce数据，2027年HBM比特出货量预计年增50%至60%，但仍不足以满足需求增长，HBM议价权仍偏向供应商。

三星此次扩产的核心目标，正是争夺英伟达等AI芯片客户的HBM4订单。随着英伟达下一代Rubin平台对HBM4需求大幅增长，三星希望凭借产能优势从SK海力士手中抢下更多份额。

在竞争对手上，SK海力士HBM4已于2026年第二季度量产出货，12层产品正稳定量产，16层产品已进入认证阶段。两家存储巨头的HBM4产能竞赛，正进入白热化阶段。