最新9月24日消息，据报道，摩根大通近日发布HBM行业研报，明确指出HBM规格降级是市场误读。2026至2028年HBM比特需求复合增速仍达63%，产业始终处于供给短缺状态。

摩根大通认为，规格下调改变的是产品组合，而非需求总量。三年累计比特需求总量基本维持在1630亿Gb不变，供需紧缺率从-20%小幅改善至-16%。

短缺难以缓解的技术根源在于“Die Penalty”（晶粒惩罚）。生产相同比特数量的HBM，需消耗相当于传统DRAM约3至4倍的晶圆资源。这意味着，要产出相同数量的比特，需要的资本开支正在不断增加。

核心原因在于8Hi经济型产品占比提升，而16Hi技术最快延后至2029年才落地。8Hi作为经济型产品生命周期被拉长，12Hi主打高性能市场，TCB（热压键结）为现阶段主流封装方案。

面对这一持续短缺的局面，供给端正加速向HBM倾斜。其中，三星增加了HBM晶圆分配，2025至2028年新增DRAM产能的58%预计投向HBM制造，HBM占DRAM总产能比例预计由19%提升至31%。

此外，下游客户格局将发生重要变化。2026年英伟达仍是核心采购方，占总需求58%。但ASIC（专用集成电路，为特定任务定制设计的芯片）整机出货量年增可达102%，远高于英伟达的15%。

到2027年，ASIC需求占比将升至48%，英伟达回落至43%，ASIC超越英伟达成为HBM第一大消费方。不过英伟达单芯片HBM搭载量依旧高于ASIC，二者容量溢价只是逐步收缩。

价格端仍有上行空间。摩根大通预计，HBM平均售价2027年同比上涨42%，2028年继续上涨25%，届时单位Gb价格达3.8美元（约合人民币25.5元），营业利润率维持在60%至70%区间。