最新10月31日消息，长鑫科技近日发布第三季度财报后，随后在举行的第三季度业绩交流会中公布新进展，在4F²垂直沟道DRAM架构取得关键突破的基础之上，第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证。

按照产业实践，工程样片验证完成意味着该平台核心性能指标已在真实晶圆上达到设计预期，在客户端完成验证后可进入规模量产阶段。

值得注意的是，在此之前，长鑫曾在学术论坛上介绍过4F²架构。对比当下主流的6F²架构， 4F²方案能够在同等面积下集成更多晶体管，有望缓解DRAM先进工艺持续微缩遇到的瓶颈。不过这条技术路线公布之后，也在存储行业引发争议。

本月早些时候，美光科技总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer（斯科特·德波尔）表示，美光将沿着6F²路径并开发3D DRAM，不做4F²，理由是复杂度与成本上升。

他透露美光研究了4F² 20年，认为这个方向没有可行微缩路径和实际收益。

在他看来，决定DRAM位密度理论上限的核心是电容间距、电容尺寸等参数，优化重心应当围绕电容间距展开。

针对这一观点以及海外厂商放弃4F²路线的选择，长鑫科技也在交流会上作出回应。

公司表示“从物理规律看，DRAM位密度提升确实是一个复杂的系统工程，涉及字线、位线以及电容结构的多重空间博弈。”

长鑫科技称，相关说法反映了行业在先进制程微缩阶段所面临的普遍物理挑战。在特定技术节点下，不同架构在工艺集成复杂度、光刻次数、以及热预算等方面呈现出不同的成本效益曲线。

不同存储厂商基于自身历史技术积累、现有产线配置、专利布局及资本开支结构，往往会做出差异化的战略选择，值得理解和尊重。

同时就4F²新技术带来的效益，长鑫科技也坦言，前瞻技术及新产品不会在短期全部转化为当期利润，更多是构筑中长期竞争力。