最新11月12日消息，随着AI加速器功耗持续攀升，HBM的竞争焦点正从堆叠层数转向封装内部的散热能力。SK海力士今年5月发布的iHBM技术，通过在HBM封装内部直接嵌入冷却元件，将热阻降低30%以上，目标从HBM5世代开始导入。

传统HBM的散热路径是间接的：热量先经由核心芯片向外传导，再交给外部散热器。但整颗封装中功率密度最高的区域，恰恰是连接HBM基础裸片与GPU的D2D PHY通道，这里的热量很难被有效导出。

iHBM的解法是在D2D PHY区域直接嵌入一体化冷却元件ICE，用绝缘且高导热的硅基材料，在封装内部开出一条专用的排热通道，从结构上绕开了间接传导的瓶颈。

量产可行性是这项技术的关键优势。iHBM沿用SK海力士已大规模验证的先进MR-MUF晶圆级封装工艺，并与客户现有的系统级封装环境高度兼容，客户无需大规模修改设计即可导入，实际门槛显著降低。

SK海力士封装开发负责人李康旭表示，iHBM是将存储器设计与先进封装技术结合、把发热降到最低的最优方案。

供应链层面，SK海力士已开始与材料、零部件及设备供应商接洽，讨论iHBM的产品导入与量产计划。按照路线图，iHBM将从HBM5开始应用，HBM5预计2029年问世，同期行业预计转向混合键合。

市场格局正在加剧这场技术竞赛的紧迫性。Counterpoint数据显示，2025年第四季度三星以192亿美元DRAM营收重回全球第一，SK海力士以171亿美元紧随其后。

但在HBM细分市场，SK海力士仍以约57%的份额占据绝对主导，三星与美光分别为22%和21%。