最新10月30日消息，长鑫科技晚间发布2026年第三季度财报，第三季度（7-9月）实现营业收入1187.14亿元，环比增长19.30%；净利润约889.83亿元，环比增长约19.38%。

前三季度实现营业收入2690.24亿元，同比增长738.51%；归属于上市公司股东的净利润1320.4亿元，同比扭亏为盈。

长鑫表示，营收大幅增长主要得益于全球算力需求快速攀升和主要厂商产能调配等因素，全球DRAM产品供不应求。公司产能建设和产品结构不断优化，产品销售数量和销售价格大幅上涨，带动营业收入大幅增长。

利润方面，DRAM市场供不应求对产品价格快速拉升，公司产品量价齐升，同时单位成本随规模效应和精益生产管理持续下降，产品毛利大幅上升。

研发投入方面，长鑫前三季度研发费用110.71亿元，同比增长73.03%，研发投入占营收比例为4.12%。第三季度单季研发投入42.12亿元，同比增长53.83%，占营收比例3.55%。

长鑫还透露，报告期内在新产品推出方面取得突破性进展，基于第六代技术平台开发的DRAM产品已完成工程样片验证。

据最新了解，长鑫G6平台将继续采用DUV光刻工艺，芯片单元面积从G5的0.00128205平方微米缩减至0.000896平方微米，缩小约30%。

另外长鑫第五代DRAM平台（G5）已于2026年9月20日在世界制造业大会上宣布正式实现量产，通过四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。