据报道，美光计划到2026年底将HBM月产能增至10万片，较去年接近翻倍。此举在缓解全球HBM供应紧张的同时，也帮助美光加速收窄其与两大韩系巨头的规模差距。

据媒体当地时间周五援引业内消息报道，美光计划到2026年底将HBM月产能提升至约10万片晶圆，较2025年每月约4万至5万片的水平接近翻倍；同时将显著提高面向英伟达Vera Rubin平台的12层HBM4产出。

若目标达成，美光与韩国同业的规模差距将明显收窄，但两家韩企的制造体量仍大幅领先。

报道称，美光已向HBM设备供应商追加采购订单，新设备正在其中国台湾与新加坡的生产基地安装。

HBM4占比翻倍

据报道，美光的HBM产出目前仍以12层HBM3E为主，但12层HBM4的占比预计将从2026年初的约20%—30%，提升至年底的最高50%。

根据美光3月17日发布的官方新闻稿，专为英伟达Vera Rubin GPU设计的HBM4 36GB 12层产品已于2026年第一季度开始量产出货，能效较上一代HBM3E提升逾20%；公司同时已向客户送样48GB 16层HBM4。

美光首席执行官Sanjay Mehrotra今年6月表示，HBM4的产能爬坡速度约为12层HBM3E的两倍，累计HBM4出货收入已突破10亿美元。

报道指出，由于这批HBM4产品几乎高度绑定英伟达的下一代AI加速器平台，新增产能能否被消化，很大程度上取决于英伟达的出货节奏。

缩小产能差距

从制造规模看，美光仍是三大HBM供应商中最小的一家。

媒体援引行业估算显示，三星电子与SK海力士当前的HBM月产能均在15万至20万片之间，而美光的目标是到2026年底达到10万片。

若美光的目标如期落地，其与两家韩企的产能差距有望收窄至此前的约一半。

市场份额格局则比产能数据更为均衡。

据市场研究机构Counterpoint Research估算，2026年第二季度全球HBM份额为SK海力士50%、三星电子32%、美光18%。

美光的扩产也印证了HBM供应持续紧张。AI加速器厂商对堆叠存储的消耗量不断攀升，可用产能成为制约供应商出货与变现能力的核心因素。