最新 7 月 30 日消息，TrendForce（集邦）今日发布预测，认为 DRAM 内存市场在明年维持供给紧张格局，价格走势偏强；而 NAND 闪存供给将在 2027H2 趋向宽松，价格可能面临修正压力。

DRAM 和 NAND 走势分化的一大关键点还是两者按容量计的新产能上线进度不同：多数 DRAM 新厂投片放量落于 2027 年下半年，显著的产出贡献则于 2028 年发酵；而 NAND 端则会见到各大厂加速升级至高层数产品与新厂产能逐步释放。

此外，由于 HBM 制造流程所需的晶圆投入远高于一般 DRAM，导致新增内存投片量无法等比例转换为有效容量产出，DRAM 领域的容量缺口将从今年的 1~2% 进一步扩大。

当然，内存成本过高反作用于云服务供应商资本支出规划、代理式 AI 普及取得突破式进展而再度拉动高速固态硬盘的需求等都是可能出现的情况。

参考

• TrendForce 集邦咨询: 2027 年存储器市场走势分化，DRAM 供给持续紧缺、NAND Flash 转趋宽松