最新7月22日消息，据媒体报道，继DRAM、高带宽内存（HBM）及晶圆代工合作之后，三星电子与英伟达的合作版图进一步延伸至NAND闪存领域，双方在存储供应链上的绑定进入全新阶段。

据7月21日消息，三星已正式启动第十代V-NAND（V10）的量产并向英伟达供货，同时扩大第九代V-NAND（V9）产能，并加速推进第十一代500层V-NAND（V11）的研发。三星以“量产V9、上量V10、试产V11”三代并行布局，将核心闪存产能向AI赛道倾斜。

此次合作的直接驱动力来自英伟达即将推出的上下文存储平台CMX（Context Memory Storage）。该设备单套可搭载576块固态硬盘，总容量高达9600TB，旨在解决AI推理中KV缓存数据指数级膨胀带来的存储瓶颈。业界预计，CMX对NAND的需求将从2026年的3500万TB跃升至2027年超1亿TB。

为匹配这一海量需求，三星已完成内部产能结构重塑。目前，三星月产V-NAND超过10万片晶圆，其中约60%产能分配给V9产品，而一年前仍占主力的V8产能已被压缩至40%以下。V9闪存良率稳定在80%以上，进入量产成熟期；三星平泽P4工厂的NAND洁净室仍有超半数空间可支持进一步扩产。

技术迭代方面，三星同样展现出加速态势。今年上半年启动量产的V10，采用约400层堆叠架构，存储密度较286层的V9提升超50%，并首次以钼（Molybdenum）替代传统钨作为布线材料，使配线厚度缩减30%至40%。更值得关注的是，目标堆叠层级达400至500层的V11已进入试产阶段，预计下半年试产规模将翻倍，为后续量产积累良率数据。

受益于AI存储需求爆发，三星2026年利润预计将创历史新高。然而，英伟达对高端NAND产能的大规模锁定，也意味着其他企业及消费级市场（如PC SSD）的供给将受到挤压。分析人士指出，N

AND闪存市场或重演DRAM因AI需求导致缺货涨价的局面，供应压力短期内恐将持续。